FDN360P MOSFET SSOT-3 P-CH -30V
♠ Maelezo ya Bidhaa
| Atributo del producto | Nguvu ya sifa |
| Fabricante: | mwanzo |
| Jamii ya bidhaa: | MOSFET |
| RoHS: | Maelezo |
| Teknolojia: | Si |
| Estilo de montaje: | SMD/SMT |
| Paquete / Cubierta: | SSOT-3 |
| Polaridad del transistor: | P-Chaneli |
| Número de canales: | Kituo 1 |
| Vds - Mvutano kusumbua entre drenaje y fuente: | 30 V |
| Id - Corriente de drenaje kuendelea: | 2 A |
| Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 63 mm |
| Vgs - Tensión entre puerta y fuente: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: | 3 V |
| Qg - Carga de puerta: | 9 nC |
| Kiwango cha joto cha chini: | - 55 C |
| Kiwango cha joto cha juu zaidi: | + 150 C |
| Dp - Disipación de potencia : | 500 mW |
| Mfereji wa Modo: | Uboreshaji |
| Nombre comercial: | PowerTrench |
| Uelewa: | Reel |
| Uelewa: | Kata Tape |
| Uelewa: | MouseReel |
| Marca: | onsemi / Fairchild |
| Usanidi: | Mtu mmoja |
| Tiempo de caída: | 13 ns |
| Transconductancia hacia delante - Mín.: | 5 S |
| Altura: | 1.12 mm |
| Longitudo: | 2.9 mm |
| Bidhaa: | Ishara Ndogo ya MOSFET |
| Tipo ya bidhaa: | MOSFET |
| Tiempo de subida: | 13 ns |
| Serie: | FDN360P |
| Cantidad de empaque de frabrica: | 3000 |
| Kitengo kidogo: | MOSFETs |
| Tipo ya transistor: | 1 P-Chaneli |
| Kidokezo: | MOSFET |
| Vidokezo vya kucheleweshwa kwa apagado típico: | 11 ns |
| Tiempo típico de demora de encendido: | 6 ns |
| Ancho: | 1.4 mm |
| Lakabu de las piezas n.º: | FDN360P_NL |
| Peso de la unidad: | Oz 0.001058 |
♠ Chaneli Moja ya P, PowerTrenchÒ MOSFET
MOSFET hii ya Kiwango cha Mantiki ya P-Channel inatolewa kwa kutumia mchakato wa ON Semiconductor advanced Power Trench ambao umeundwa maalum ili kupunguza upinzani wa hali na bado kudumisha malipo ya chini ya lango kwa utendakazi bora wa ubadilishaji.
Vifaa hivi vinafaa kwa matumizi ya chini ya voltage na betri ambapo upotezaji wa nishati ya mtandaoni na kubadili haraka kunahitajika.
· –2 A, –30 V. RDS(ON) = 80 mW @ VGS = –10 V RDS(ILIYO) = 125 mW @ VGS = –4.5 V
· Chaji ya chini ya lango (6.2 nC ya kawaida) · Teknolojia ya utendakazi wa hali ya juu kwa RDS(ILIYO ILIYO) ya chini sana .
· Toleo la nguvu la juu la kifurushi cha kiwango cha SOT-23 cha tasnia.Pini-nje sawa kwa SOT-23 na uwezo wa juu wa 30% wa kushughulikia nishati.
· Vifaa hivi havina Pb na Vinazingatia RoHS
