FDD4N60NZ MOSFET 2.5A Towe la Sasa la GateDrive Optocopler

Watengenezaji: KWENYE Semiconductor

Kitengo cha Bidhaa: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Karatasi ya data:FDD4N60NZ

Maelezo: MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK

Hali ya RoHS: Inakubaliana na RoHS

Maelezo ya Bidhaa

Sifa ya Bidhaa	Thamani ya Sifa
Mtengenezaji:	mwanzo
Aina ya Bidhaa:	MOSFET
RoHS:	Maelezo
Teknolojia:	Si
Mtindo wa Kuweka:	SMD/SMT
Kifurushi / Kesi:	DPAK-3
Transistor Polarity:	N-Chaneli
Idadi ya Vituo:	Kituo 1
Vds - Voltage ya Uchanganuzi wa Chanzo cha Maji taka:	600 V
Kitambulisho - Mtiririko Unaoendelea wa Sasa:	1.7 A
Rds On - Upinzani wa Chanzo cha maji machafu:	1.9 Ohm
Vgs - Voltage ya Lango-Chanzo:	- 25 V, + 25 V
Vgs th - Voltage ya Kizingiti cha Lango-Chanzo:	5 V
Qg - Malipo ya Lango:	8.3 nC
Kiwango cha chini cha Joto la Uendeshaji:	- 55 C
Kiwango cha Juu cha Joto la Uendeshaji:	+ 150 C
Pd - Upotezaji wa Nguvu:	114 W
Hali ya Kituo:	Uboreshaji
Jina la Biashara:	UniFET
Ufungaji:	Reel
Ufungaji:	Kata Tape
Ufungaji:	MouseReel
Chapa:	onsemi / Fairchild
Usanidi:	Mtu mmoja
Wakati wa Kuanguka:	12.8 ns
Upitishaji wa Mbele - Dak:	3.4 S
Urefu:	2.39 mm
Urefu:	6.73 mm
Bidhaa:	MOSFET
Aina ya Bidhaa:	MOSFET
Wakati wa Kupanda:	15.1 ns
Msururu:	FDD4N60NZ
Kiasi cha Pakiti ya Kiwanda:	2500
Kitengo kidogo:	MOSFETs
Aina ya Transistor:	1 N-Chaneli
Muda wa Kawaida wa Kuchelewa Kuzima:	30.2 ns
Muda wa Kawaida wa Kuchelewa Kuwasha:	12.7 ns
Upana:	6.22 mm
Uzito wa Kitengo:	Oz 0.011640