MBT3904DW1T1G Transistors za Bipolar – BJT 200mA 60V NPN Dual
♠ Maelezo ya Bidhaa
| Sifa ya Bidhaa | Thamani ya Sifa |
| Mtengenezaji: | mwanzo |
| Aina ya Bidhaa: | Transistors za Bipolar - BJT |
| RoHS: | Maelezo |
| Mtindo wa Kuweka: | SMD/SMT |
| Kifurushi / Kesi: | SC-70-6 |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Usanidi: | Mbili |
| Mtoza- Emitter Voltage VCEO Max: | 40 V |
| Mtoza- Voltage ya Msingi VCBO: | 60 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Voltage ya Kueneza kwa Mtoza-Emitter: | 300 mV |
| Kiwango cha juu cha Mtozaji wa Sasa wa DC: | 200 mA |
| Pd - Upotezaji wa Nguvu: | 150 mW |
| Pata Bidhaa ya Bandwidth fT: | 300 MHz |
| Kiwango cha chini cha Joto la Uendeshaji: | - 55 C |
| Kiwango cha Juu cha Joto la Uendeshaji: | + 150 C |
| Msururu: | MBT3904DW1 |
| Ufungaji: | Reel |
| Ufungaji: | Kata Tape |
| Ufungaji: | MouseReel |
| Chapa: | mwanzo |
| Mtozaji Mwema wa Sasa: | - 2 A |
| Mtozaji wa DC/Faida ya Msingi hfe Dakika: | 40 |
| Urefu: | 0.9 mm |
| Urefu: | 2 mm |
| Aina ya Bidhaa: | BJTs - Transistors za Bipolar |
| Kiasi cha Pakiti ya Kiwanda: | 3000 |
| Kitengo kidogo: | Transistors |
| Teknolojia: | Si |
| Upana: | 1.25 mm |
| Sehemu # Lakabu: | MBT3904DW1T3G |
| Uzito wa Kitengo: | Oz 0.000988 |
• hFE, 100−300 • VCE ya Chini(imeketi), ≤ 0.4 V
• Rahisisha Muundo wa Mzunguko
• Hupunguza Nafasi ya Bodi
• Hupunguza Hesabu ya Vipengele
• Inapatikana katika 8 mm, 7−inch/3,000 Unit Tape na Reel
• Kiambishi awali cha S na NSV cha Uendeshaji wa Magari na Programu Zingine Zinazohitaji Mahitaji ya Mabadiliko ya Tovuti ya Kipekee na Udhibiti;AEC−Q101 Imehitimu na PPAP Uwezo
• Vifaa hivi havina Pb−Bila, Halogen Visivyolipishwa/BFR Vinaendana na RoHS
