SI1029X-T1-GE3 MOSFET 60V Vds 20V Vgs SC89-6 N&P pair
♠ Maelezo ya Bidhaa
| Sifa ya Bidhaa | Thamani ya Sifa |
| Mtengenezaji: | Vishay |
| Aina ya Bidhaa: | MOSFET |
| RoHS: | Maelezo |
| Teknolojia: | Si |
| Mtindo wa Kuweka: | SMD/SMT |
| Kifurushi/Kesi: | SC-89-6 |
| Transistor Polarity: | N-Chaneli, P-Chaneli |
| Idadi ya Vituo: | 2 Idhaa |
| Vds - Voltage ya Uchanganuzi wa Chanzo cha Maji taka: | 60 V |
| Kitambulisho - Mtiririko Unaoendelea wa Sasa: | 500 mA |
| Rds On - Upinzani wa Chanzo cha maji machafu: | 1.4 Ohm, 4 Ohm |
| Vgs - Voltage ya Lango-Chanzo: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Voltage ya Kizingiti cha Lango-Chanzo: | 1 V |
| Qg - Malipo ya Lango: | 750 pC, 1.7 nC |
| Kiwango cha chini cha Joto la Uendeshaji: | - 55 C |
| Kiwango cha Juu cha Joto la Uendeshaji: | + 150 C |
| Pd - Upotezaji wa Nguvu: | 280 mW |
| Hali ya Kituo: | Uboreshaji |
| Jina la Biashara: | TrenchFET |
| Ufungaji: | Reel |
| Ufungaji: | Kata Tape |
| Ufungaji: | MouseReel |
| Chapa: | Vishay Semiconductors |
| Usanidi: | Mbili |
| Upitishaji wa Mbele - Dak: | 200 mS, 100 mS |
| Urefu: | 0.6 mm |
| Urefu: | 1.66 mm |
| Aina ya Bidhaa: | MOSFET |
| Msururu: | SI1 |
| Kiasi cha Pakiti ya Kiwanda: | 3000 |
| Kitengo kidogo: | MOSFETs |
| Aina ya Transistor: | 1 N-Chaneli, 1 P-Chaneli |
| Muda wa Kawaida wa Kuchelewa Kuzima: | 20 ns, 35 ns |
| Muda wa Kawaida wa Kuchelewa Kuwasha: | 15 ns, 20 ns |
| Upana: | 1.2 mm |
| Sehemu # Lakabu: | SI1029X-GE3 |
| Uzito wa Kitengo: | 32 mg |
• Isiyo na halojeni Kulingana na Ufafanuzi wa IEC 61249-2-21
• TrenchFET® Power MOSFETs
• Nyayo Ndogo Sana
• Ubadilishaji wa Upande wa Juu
• Upinzani wa Chini:
N-Chaneli, 1.40 Ω
P-Chaneli, 4 Ω
• Kiwango cha Chini: ± 2 V (aina.)
• Kasi ya Kubadilisha Haraka: ns 15 (aina.)
• Lango-Chanzo ESD Imelindwa: 2000 V
• Inatii Maagizo ya RoHS 2002/95/EC
• Badilisha Digital Transistor, Level-Shifter
• Mifumo Inayoendeshwa na Betri
• Mizunguko ya Kubadilisha Ugavi wa Nguvu
