VNB35N07TR-E Power Switch ICs – Usambazaji wa Nishati OMNIFETII FULLLY AUTO PROTECT Pwr MOSFET
♠ Maelezo ya Bidhaa
| Sifa ya Bidhaa | Thamani ya Sifa |
| Mtengenezaji: | STMicroelectronics |
| Aina ya Bidhaa: | IC za Kubadilisha Nguvu - Usambazaji wa Nishati |
| Aina: | Upande wa Chini |
| Idadi ya Matokeo: | 1 Pato |
| Kikomo cha Sasa: | 35 A |
| Juu ya Upinzani - Max: | 28 mm |
| Kwa Wakati - Max: | 200 ns |
| Muda wa Kuzima - Max: | 1 sisi |
| Voltage ya Ugavi wa Uendeshaji: | 28 V |
| Kiwango cha chini cha Joto la Uendeshaji: | - 40 C |
| Kiwango cha Juu cha Joto la Uendeshaji: | + 150 C |
| Mtindo wa Kuweka: | SMD/SMT |
| Kifurushi / Kesi: | D2PAK-3 |
| Msururu: | VNB35N07-E |
| Sifa: | AEC-Q100 |
| Ufungaji: | Reel |
| Ufungaji: | Kata Tape |
| Ufungaji: | MouseReel |
| Chapa: | STMicroelectronics |
| Haiathiri unyevu: | Ndiyo |
| Pd - Upotezaji wa Nguvu: | 125000 mW |
| Aina ya Bidhaa: | IC za Kubadilisha Nguvu - Usambazaji wa Nishati |
| Kiasi cha Pakiti ya Kiwanda: | 1000 |
| Kitengo kidogo: | Kubadilisha ICs |
| Uzito wa Kitengo: | Oz 0.079014 |
♠ OMNIFET: MOSFET ya Nguvu inayolindwa kiotomatiki
VNP35N07-E, VNB35N07-E na VNV35N07-E ni vifaa vya monolithic vilivyotengenezwa kwa teknolojia ya STMicroelectronics VIPower®, vinavyokusudiwa kuchukua nafasi ya MOSFET za kawaida za Nguvu katika DC hadi programu za KHz 50.
Uzimaji wa mafuta uliojengewa ndani, kizuizi cha sasa cha mstari na clamp ya overvoltage hulinda chip katika mazingira magumu.
Maoni ya kosa yanaweza kugunduliwa kwa kufuatilia voltage kwenye pini ya pembejeo.
• Magari yaliyohitimu
• Kikomo cha sasa cha mstari
• Kuzima kwa joto
• Ulinzi wa mzunguko mfupi
• Bamba iliyounganishwa
• Mkondo wa chini unaochorwa kutoka kwa pini ya kuingiza
• Maoni ya uchunguzi kupitia pin ya ingizo
• Ulinzi wa ESD
• Ufikiaji wa moja kwa moja kwenye lango la Power MOSFET (uendeshaji wa analogi)
• Inatumika na MOSFET ya kawaida ya Nguvu
• Kifurushi cha kawaida cha TO-220
• Inazingatia maagizo ya Ulaya ya 2002/95/EC
